-
-
-
-
-
-
-
12.00 лв.Обратно напрежение max:600 VТок в права посока:2X30 AМакс.пиков ток в права посока :300 AНапр.пад в права посока:1.6 V
В наличност
-
1.50 лв.Брой функц.единици в чип:1Макс.захранв.напрежение:18 VМин.захранв.напрежение:-18 VМин.работна температура:0 °CМакс.работна температура:+70 °CТип интегр.схема:операционен усилвателБрой входове :2Брой изходи:1Скорост на нарастване на напрежение:0.5 V/μsСъстояние:нов продуктВходно съпротивление:2 MΩИзходно съпротивление:75 Ω
В наличност
-
16.80 лв.Корпус:TO247-3Мощност:300 WТип транзистор :IGBT+DiodeПрагово напрежение:min 3.5 V max 6,0 VНапрежение колектор - емитер:600 VКолекторен ток:60 A
В наличност
-
1.50 лв.Брой функц.единици в чип:1Макс.захранв.напрежение:18 VМин.захранв.напрежение:-18 VМин.работна температура:0 °CМакс.работна температура:+70 °CТип интегр.схема:операционен усилвателБрой входове :2Брой изходи:1Скорост на нарастване на напрежение:0.5 V/μsСъстояние:нов продуктВходно съпротивление:2 MΩИзходно съпротивление:75 Ω
В наличност
-
-
-
-
-
6.00 лв.Корпус:TO3Тип транзистор :PNP DarlingtonНапрежение колектор - емитер:120 VТранзитна честота:4 MHzУсилване на транзистора :1000
В наличност
-
8.40 лв.Корпус:TO3Тип транзистор :NPN DarlingtonНапрежение колектор - емитер:120 VТранзитна честота:4 MHzУсилване на транзистора :1000
В наличност
-
4.80 лв.Корпус:TO220FPМощност:58 WСъпротивление във включено състояние:0.01 ΩТип транзистор :N-MOSFETПрагово напрежение:min 1.0 V max 2,0 VТок на дрейна:52 A
В наличност
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.72 лв.Монтаж:THTРаботна температура:-40 °C...+105 °CРазмери:Ø8x11.5 mmКапацитет :1000 uFРаботно напрежение:6.3VDCВреме на експлоатация:6000 hРастер:3.5 mmТип кондензатор:low impedance
В наличност
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Мощност:300 WТип транзистор :IGBT+DiodeПрагово напрежение:min 3.5 V max 6,0 VКорпус:TO247-3Монтаж:THT
В наличност
