ЕДИНИЧНИ БРОЙКИ
-
24.00 лв.Размери:Ø18 x 40 mmКапацитет :50 000 000 uFРаботно напрежение:2.7VDCРастер:8.0 mmТип кондензатор:low impedance
В наличност
-
3.60 лв.Съпротивление във включено състояние:0.01 ΩНапрежение дрейн - сорс :55 VТип транзистор :N-MOSFETПрагово напрежение:min 1.0 V max 2,0 VТок на дрейна:89 A
В наличност
-
6.00 лв.Монтаж:THTРаботна температура:0 °C...+70 °CКорпус:DIP16Подходящ за:панел метърМакс.захранв.напрежение:5,5 V
В наличност
-
12.00 лв.Монтаж:THTКорпус:DIP14Подходящ за:индуктивен датчикМакс.захранв.напрежение:30 VМин.захранв.напрежение:4.75 V
В наличност
-
6.00 лв.Тип транзистор :NPNНапрежение колектор - емитер:350 VКолекторен ток:15 AУсилване на транзистора :300
В наличност
-
24.00 лв.Монтаж:THTКорпус:DIP16Мин.работна температура:-20 °CБрой функц.единици в чип:1Тип интегр.схема:интерфейсна
В наличност
-
3.60 лв.Напрежение дрейн - сорс :25 VТип транзистор :N-ChannelТок на дрейна:0,05 A
В наличност
-
9.60 лв.Съпротивление във включено състояние:0.0034 ΩНапрежение дрейн - сорс :100 VТип транзистор :N-MOSFETПрагово напрежение:min 1.0 V max 2,5 VТок на дрейна:180 A
В наличност
-
6.00 лв.Съпротивление във включено състояние:0.044 ΩНапрежение дрейн - сорс :100 VТип транзистор :N-MOSFETПрагово напрежение:min 1.0 V max 2,0 VТок на дрейна:23 A
В наличност
-
6.00 лв.Съпротивление във включено състояние:0.01 ΩТип транзистор :N-MOSFETПрагово напрежение:min 1.0 V max 2,0 VТок на дрейна:52 A
В наличност
Page 1 of 1