Валута
BGN
  • USD
  • EUR
  • BGN
Език
Меню
Профил
Език

IRFB4115

9.00 лв.

Транзистор IRFB4115

HEXFET*Power MOSFET

Benefits
* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
* Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
* Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
* Lead-Free

  • Корпус:
    TO-220
  • Мощност:
    380 W
  • Напрежение дрейн - сорс :
    150 V
  • Ток на дрейна:
    104 A
  • Прагово напрежение:
    min 3.0 V max 5,0 V
  • Ток на дрейна при 100°C :
    74 A
  • Съпротивление във включено състояние:
    0.0093 Ω
  • Тип транзистор :
    N-MOSFET
  • Монтаж:
    THT
  • Мин.работна температура:
    -55 °C
  • Макс.работна температура:
    +175 °C

Има в наличност 1 броя

Добави в желани
- +

Бърза поръчка без регистрация

Само попълнете 2 полета
Ние ще се свържем с вас в рамките на работния ден.
Информация за Съответствие

Applications:
* High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
* Uninterruptible Power Supply
* High Speed Power Switching
* Hard Switched and High Frequency Circuits

  • Корпус:
    TO-220
  • Мощност:
    380 W
  • Напрежение дрейн - сорс :
    150 V
  • Ток на дрейна:
    104 A
  • Прагово напрежение:
    min 3.0 V max 5,0 V
  • Ток на дрейна при 100°C :
    74 A
  • Съпротивление във включено състояние:
    0.0093 Ω
  • Тип транзистор :
    N-MOSFET
  • Монтаж:
    THT
  • Мин.работна температура:
    -55 °C
  • Макс.работна температура:
    +175 °C
Файл Информация
irfb4115pbf [PDF, 309.01 KB]

Контакт

Братан Братанов 

0878601155+Viber

Варна, ул.Велико Христов 45

/ входът е от детската площадка до трафопоста/

 

Може да се свържете с нас чрез формуляра по-долу.

Код за сигурност

Рекламации

Моля ползвайте този формуляр, за да поискате рекламация.

Нови продукти

Най-продавани