IRLB4030
9.60 лв.
Транзистор IRLB4030
HEXFET*Power MOSFET
Benefits
* Optimized for Logic Level Drive
* Very Low R DS(ON) at 4.5V V GS
* Superior R*Q at 4.5V V GS
* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
* Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
* Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
* Lead-Free
Бърза поръчка без регистрация
Само попълнете 2 полета
Applications
* DC Motor Drive
* High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
* Uninterruptible Power Supply
* High Speed Power Switching
* Hard Switched and High Frequency Circuits
-
Корпус:TO-220
-
Мощност:370 W
-
Напрежение дрейн - сорс :100 V
-
Ток на дрейна:180 A
-
Прагово напрежение:min 1.0 V max 2,5 V
-
Ток на дрейна при 100°C :130 A
-
Съпротивление във включено състояние:0.0034 Ω
-
Тип транзистор :N-MOSFET
-
Монтаж:THT
-
Подходящ за:автомобилни двигатели
-
Мин.работна температура:-55 °C
-
Макс.работна температура:+175 °C
Файл | Информация |
---|---|
![]() |
[PDF, 289.43 KB] |
Контакт
Братан Братанов
0878601155+Viber
Варна, ул.Велико Христов 45
/ входът е от детската площадка до трафопоста/
Може да се свържете с нас чрез формуляра по-долу.
Рекламации
Моля ползвайте този формуляр, за да поискате рекламация.